成果案例：光伏磨抛一体机自动化系统应用与研究

薄片化，硅片厚度从180μm向110μm甚至80μm演进，对磨抛工艺的应力控制提出更高要求。

大尺寸化，G12（210mm）硅片成为主流，设备需兼容大尺寸硅片的稳定传输和加工精度。

N型电池普及，TOPCon、HJT电池对硅片表面粗糙度（Ra值）要求≤0.2μm，传统分体式设备难以满足。

精度突破：加工边距公差±0.05mm，表面粗糙度Ra≤0.1μm，达到国际先进水平。

薄片化支持：稳定加工110μm硅片，碎片率<0.2%，支撑HJT电池量产。

智能化升级：算法实现设备自诊断，故障率降低40%，维护周期延长至2000小时。

过配置NX系列PLC 运动控制器+13 轴伺服驱动控制+探针，对开方后不同规格单晶、多晶硅方棒进行弧或者角、面一体抛光的设备，同时可具备粗磨、精磨、单面、单弧单独加工功能。